Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper a complete TCAD model addressing Hot Carrier Degradation for Flash technology is presented and its validity range extended respect to our previous work. Using the correlation of drifting electrical parameters, a simple technique for the analysis of trap distribution location is presented and physical insights on defect shape evolution are provided at different stress conditions.
A complete TCAD model addressing Hot Carrier Degradation for Flash technology is presented. After having underlined the need for a power law with a low exponent for the aging kinetics and considered a high activation energy reflecting the single electron impact mode, a fine calibration is achieved. Finally, analysis on trap distribution and aging rates at different channel locations are provided
Hot-Carrier degradation is analyzed with 3 mode lifetime modeling extended to the cases of PMOSFETs and Off state modes in last CMOS nodes. Damage worsens in subthreshold region with positive temperature activation due to interface traps generation in the gate-drain overlap (GDO) and localized charge trapping into the spacer oxide. Care has been done on the distinct impact of the measuring bias and...
Channel hot-carrier degradation presents a renewed interest in the last NMOS nodes where the device reliability of bulk silicon (core) 40 nm and Input/Output (IO) device is difficult to achieve at high temperature as a function of supply voltage VDD and back bias VBS. A three mode interface trap generation is proposed based on the energy acquisition involved in distinct interactions in all the VGS...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.