Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate Si/SiGe impact-ionization-avalanche-transit-time photodiodes at 830 nm wavelength. It achieves an ultra-high gain-bandwidth product (690 GHz, 30 GHz bandwidth) with high external efficiency (53.2%) and 10 Gbit/sec eye-opening neither using costly silicon-on-insulator substrate nor integrating with active ICs.
By integrating near-ballistic uni-traveling-carrier photodiodes with planar W-band bandpass filters, the demonstrated devices under optical local-oscillator and intermediate-frequency signals injection can exhibit high internal up-conversion-gain (14.2 dB) with a high output photocurrent (19 mA) at W-band (100 GHz).
We demonstrate a high-performance heterojunction phototransistor (HPT): separate absorption-charge multiplication HPT. The incorporation of an In0.52Al0.48 As-based multiplication layer in the In0.53 Ga0.47As-based collector layer of our HPT allows for a great shortening of the trapping time ( ~ ns to ~ 30 ps) of electrons at the base-emitter junction under near avalanche operation, without sacrificing...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.