Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
SiC devices have obvious advantages comparing with conventional Si devices especially in high temperature range. This paper aims at developing a method of characterization SiC JFET conduction and switching performance in high temperature and calculating the loss of SiC JFET converters. Experimental results show that with SiC Schottky diode as anti-paralleling diode the reverse recovery in switching...
This paper presents the development and experimental performance of a 10 kW high power density three-phase ac-dc-ac converter. The converter consists of a Vienna-type rectifier front-end and a two-level voltage source inverter (VSI). In order to reduce the switching loss and achieve a high operating junction temperature, a SiC JFET and SiC Schottky diode are utilized. Design considerations for the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.