Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have demonstrated 8.5–11.5 GHz class-E MMIC high-power amplifiers (HPAs) with a peak power-added-efficiency (PAE) of 61% and drain efficiency (DE) of 70% with an output power of 3.7 W in a continuous-mode operation. At 5 W output power, PAE and DE of 58% and 67% are measured, respectively, which implies MMIC power density of 5 W/mm at Vds = 30 V. The peak gain is 11 dB, with an associated gain...
We report W-band GaN MMIC's that produce 96% more power at a frequency of 88 GHz in continuous wave (CW) operation than the highest power reported in this frequency band for the best competing solid state technology, the InP HEMT. W-band power module containing a single three stage GaN MMIC chip with 600 μm wide output stage produced over 842 mW of output power in CW-mode, with associated PAE of 14...
GaN-based HEMTs offer a unique combination of high electron velocity and high breakdown field making them the prime candidate for the highest performance millimeter-wave solid-state power amplifiers (PAs). Recently, we have demonstrated GaN MMIC PAs with an output power of 500 mW at W-band frequency range. The device high frequency performance has been significantly improved during the past y ears...
High data rate E-band (71 GHz- 76 GHz, 81 GHz - 86 GHz, 92 GHz - 95 GHz) communication systems will benefit from power amplifiers that are more than twice as powerful than commercially available GaAs pHEMT MMICs. We report development of three stage GaN MMIC power amplifiers for E-band radio applications that produce 500 mW of saturated output power in CW mode and have > 12 dB of associated power...
A high-efficiency C-Band power amplifier design utilizing AIGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT's is reported. On-wafer active loadpull power measurements at 4.5 GHz of a 0.25μm x 1.2 mm pHEMT exhibited an output power of 0.35 W and power-added efficiency of 79%. A singlestage MIC amplifier fabricated with a 2.8-mm-wide pHEMT resulted in P/sub out/ = 1.2 W and PAE = 74% at 4 GHz. These results demonstrate the...
The superior performance of Ka-band monolithic-microwave-integrated-circuits (MMIC) power and low-noise amplifiers (LNAs), both fabricated on the same wafer using delta doped AlGaAs-InGaAs-GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistor (PHEMT) technology is discussed. The balanced power amplifier exhibited an output power of 500 mK with 1 2-dB associated gain and a power-added efficiency of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.