Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
BaTi5O11 thin films with single-layer thicknesses about 400 nm were deposited on the Si substrates by sol-gel method. The influence of surface morphology, optical and dielectric properties was mainly investigated. The diffraction pattern showed that the annealed films exhibited a polycrystalline microstructure, and the increase in grain size of BaTi5O11 thin films occurred with an increase in annealing...
In this study, the Cr-C-O composite coatings were synthesized on AISI 304 stainless steel by cathodic vacuum arc deposition (CVAD) system using CO2 reactive gas and Chromium (99.9%) target. In the coating process, the bias value was varied, and the coating morphologies and properties such as roughness, chemical composition, structure, and adhesion were all analyzed. Moreover, ball-on-disc wear tests...
Fan-out chip on substrate (FOCoS) is defined as the fan-out package flip-chip mounts on high pin counts ball grid array substrate. 12-inch advanced wafer level package (aWLP) process is implemented on FOCoS for cost saving advantage. The fan-out package constructs from multi-chips with short interconnection between die to die (D2D) by re-distribution layer (RDL) process, which has the potential for...
We report the fabrication of amorphous (InxGa1−x)2O3 metal–semiconductor–metal ultraviolet (UV) photodetectors on glass substrate by co-sputtering. It was found that, we could change the cutoff wavelength of the fabricated photodetectors by changing the RF sputtering power of the In2O3 target. With 5 V applied bias, it was found that the measured dark currents were $2\times 10^{-12}$ , $1\times 10^{-11}$ ...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.