Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Rectangular piezoresistive cantilevers with stress concentration holes opened were designed and fabricated in order to increase the response signals of piezoresistive cantilever first. Both the simulations and the measurements on the cantilever sensitivity show that this design can obviously result in an improvement on the displacement sensitivity of the piezoresistive cantilever. After a characterization...
In this paper, we assess the potential for bulk CMOS, SOI CMOS, and double-gate CMOS to extend scaling to 10 nm channel length. In addition to the required replacement of silicon dioxide and polysilicon gates by high-k insulator and metal gates for all device types, specific technology requirements are discussed for each device type. 10 nm bulk CMOS requires abrupt placement of n- and p-type dopants...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.