Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Presented are the first DC and RF results for a double heterojunction bipolar transistor, at a 6.2 A lattice constant, incorporating InAs0.66Sb0.34. These devices show excellent performance with a high collector current density of 1.9 × 105 A/cm2, high breakdown voltage over 2.5 V, high short-circuit current gain cutoff frequency of 59 GHz, and maximum frequency of oscillation of 34 GHz.
Summary form only given. Advanced lll-V transistor technology using 6.2 Å materials reaches a record 59 GHz. The highest cutoff frequency of double heterojunction bipolar transistors (HBTs) fabricated using 6.2 Å materials has been demonstrated by researchers at the Naval Research Laboratory (NRL) in the US. The team fabricated InAlAsSb/InGaSb HBTs with high conductivity InAsSb layers, and achieved...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.