Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Two-dimensional transient analysis of field-plate AlGaN/GaN HEMTs and GaN MESFETs is performed, considering a deep donor and a deep acceptor in the semiinsulating GaN buffer layer. Quasi-pulsed I-V curves are derived from the transient characteristics. It is studied how the existence of a field plate affects buffer-related drain lag, gate lag and current collapse. It is shown that in both FETs, the...
Two-dimensional transient analyses of AlGaN/GaN HEMTs and GaN MESFETs are performed in which a deep donor and a deep acceptor are considered in a semi-insulating buffer layer. Quasi-pulsed I-V curves are derived from the transient characteristics. It is studied how the existence of field plate affects buffer-related lag phenomena and current collapse. It is shown that in both FETs, the lag phenomena...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.