Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 3-D ring oscillator integrated with through silicon vias (TSVs) is designed and fabricated for testing multilayer-stacked integrated circuits (ICs) with TSV. The proposed 3-D ring oscillator consists of 13 stages and 65-nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor (CMOS) dies with two current-starved inverters and via-last TSVs designed for the five middle layers of the 3-D ring oscillator...
A 3-D ring oscillator integrated with through silicon vias (TSVs) is designed and fabricated for testing multilayer stacked integrated circuits with TSV. The proposed 3-D ring oscillator consists of 13 stages. 65-nm CMOS dies with two current-starved inverter and via-last TSVs are designed for the five middle layers of 3-D ring oscillator. The two cascaded inverters are connected to the up-side layer...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.