Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Lateral current injection DFB laser with a-Si surface grating was demonstrated, as step to realize membrane laser. The threshold current of 7.0 mA and the differential quantum efficiency of 43% from the front facet were obtained.
Semiconductor membrane laser with high index-contrast waveguide is promising for achieving low power consumption operation. As a step to realize a current injection (LCI) type membrane laser, GaInAsP/InP lateral current injection type Fabry-Perot lasers with 400 nm thin core layer, including compressively-strained 5 quantum-wells were realized by 2-step OMVPE regrowth on a semi-insulating InP substrate...
Toward injection type GaInAsP/InP membrane lasers consisting of high index contrast waveguide structure, lateral current injection type distributed-feedback lasers on a semi-insulating InP substrate were realized by an electron-beam lithography and organo-metallic vapor-phase-epitaxial regrowth. Single mode operation with a threshold current of 27 mA and a side-mode suppression ratio of 35dB at a...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.