Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
SiO2/SiO2 direct wafer bonding and BCB bonding have been compared to realize membrane GalnAsP wired waveguides on Si Substrate. Bonding environment and pressure were essential for BCB bonding and SiO2 direct bonding, respectively.
Wafer bonding technology was investigated to integrate active photonic devices on a silicon on insulator (SOI) wafer for very compact photonic-integrated circuits. A single-quantum-well (SQW) GaInAsP/InP membrane structure bonded onto an SOI wafer was successfully obtained by a direct bonding method with a thermal annealing at 300-450degC under H2 atmosphere. The PL intensity of the SQW membrane structure...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.