Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, n-Ge1−x−ySixSny ternary alloy was successfully grown by using the Sb in situ doping technique through sputter epitaxy method. Ohmic contacts to n-Ge1−x−ySixSny are realized by shallow P implant. Group IV heterostructure p+-Ge1−xSnx / p−-Ge1−x−ySixSny / n-Ge1−x−ySixSny N-channel tunneling field-effect transistor (NTFET) is proposed and simulated. The narrow bandgap of Ge1−xSnx increases...
Novel structure of silicon-riched nitride (SRN)/silicon-riched oxide (SRO) is demonstrated using RF reactive magnetron sputtering and post-annealed, to increase the density of Si nanocrystals especially in the separated layer made of isolation medium, thus improving the transport ability of Si nanocrystal material. I–V characteristics shows the current of hybrid SRN/SRO system increases up to 2 orders...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.