Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The AC-gm dispersions are measured to analyze trap profiles in a cell of 3-D NAND flash cell string before and after P/E cycling. After 4k P/E cycling, the trap density (Nt) near the interface between the poly-Si channel and the tunneling oxide is increased according to the extracted Nt profile. The temperature dependency of the AC-gm dispersion is also investigated.
Trap density (Dit) was extracted for the first time in 3-D stacked NAND flash memory with the tube-type poly-Si channel structure. We verified extracted Dit with conductance method and charge pumping method in 32 nm floating gate (FG) NAND flash memory device. In 3-D stacked NAND flash memory device, the Dit extracted by conductance method was 1∼2×1012 cm−2eV−1 in Ec-ET of 0.15∼0.35 eV. The simulation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.