Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Recently, the doping‐less tunnel FET has gained popularity due to its lower process complexity than conventional TFETs with heavily doped source and drain regions. In this literature, we have introduced a symmetric gate Ge/GaAs heterojunction doping‐less TFET(SG HJ DL TFET) using 4.6 eV work function for both the top gate and bottom gate and an asymmetric gate Ge/GaAs heterojunction doping‐less TFET...
This paper presents power and area optimized, high‐speed metal‐oxide‐semiconductor (MOS) current mode logic (MCML)‐based frequency dividers. Each differential pair in the divider is sized separately to minimize the overall power consumption. The divide‐by‐2 frequency divider has been realized in a 180‐nm complementary MOS (CMOS) process technology, and postlayout simulation results show that the proposed...