Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High performance metal-gate/high-κ/Ge n-MOSFETs are reached with low 73 Ω/sq sheet resistance (Rs), 1.10 ideality factor, 0.95 nm EOT, small 106 mV/dec sub-threshold slope (SS), good 285 cm2/Vs high-field (1 MV/cm) mobility and low 37 mV ΔVt PBTI (85°C, 1 hr). This is achieved by using 30-ns laser annealing that leads to 57% higher gate capacitance, better n+/p junction and 10X better ION/IOFF.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.