Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a method to salvage malfunctioned bits in a FinFET SRAM array caused by random threshold voltage (Vt) variation. The Vt of pass gates (PGs) is gradually lowered during the read process from the initial high value until the stored data is detected by the sense amplifier. As a result, the best Vt is automatically chosen for each cell and malfunctioned bits of both those too fast...
PVD-TiN gate FinFET SRAM half-cells with different β-ratios and fin-height controlled transistors have successfully been fabricated using orientation-dependent wet etching and selective recess RIE. It was found that read static noise margin (SNM) increases significantly by controlling β from 1 to 2. With further increasing β, read SNM increases slightly. On the other hand, write margin shows weak...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.