Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
First, fabrication and characterization of a NAND flash memory using novel memory cells of ferroelectric-gate field-effect transistors (FeFETs), which is named Fe-NAND, was reviewed. A 64 kb Fe-NAND memory cell array with bit-line- and block- selector circuits was produced and characterized. Several standard operations for a NAND flash memory were demonstrated. All-cell-erase, all-cell-program, and...
A single-transistor active pixel image sensor compatible with dual-poly-gate technology is investigated in this paper. The integration compatibility is studied by integrating this device using EEPROM fabrication processes. The operation mechanism, light sensing performance, and non-destructive reading of this image sensor will be discussed.
This paper presents an 8 × 8 DRAM array fabricated using an aerosol jet printer to demonstrate the feasibility of gain-cell DRAMs in a p-type-only organic thin film transistor (OTFT) technology. This printing method can accommodate functional inks with a variety of viscosities and has a patterning precision of 10 μm. The underlying design philosophy was to implement a general purpose memory array...
Variations in the number and characteristics of charges or traps contributing to transistor degradation lead to a distribution of device “ages” at any given time. This issue is well understood in the study of time dependent dielectric breakdown, but is just beginning to be thoroughly addressed under bias temperature instability (BTI) and hot carrier injection (HCI) stress. In this paper, we present...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.