Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have fabricated III-nitride metal-oxide field effect transistors (MOSFETs) using high-k HfO 2 as a gate oxide. Two types of MOSFETs were studied; GaN MOSFETs and AlGaN/GaN MOSFETs. In the case of GaN MOSFETs, the maximum transconductance of 45mS/mm has been obtained. This is seven times larger than the best-reported value, to our knowledge, for the normally-off GaN MOSFETs with SiO ...
We have investigated using X-ray microdiffraction (XRMD) and transmission electron microscopy (TEM) the microstructures of Direct Silicon Bonding (DSB) substrates which were prepared by bonding a Si(011) wafer to a Si(001) wafer. XRMD was performed to measure the local lattice spacing and tilting in the samples before and after the interface oxide out-diffusion annealing. Diffraction analyses for...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.