Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Metamorphic laser heterostructures In(Sb, As)/In0.81Ga0.19As/In0.75Al0.25As with InSb/InAs/InGaAs composite quantum wells based on submonolayer InSb insertions in a 10-nm InAs layer have been grown by molecular beam epitaxy on GaAs (001) substrates. Stimulated emission at a wavelength of λ ~ 2.86 μm at temperatures of 10–60 K at optical pumping has been demonstrated in such structures without an optical...
Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs quantum-confined heterostructures with thin (1–5 nm) strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a gradient metamorphic InxAl1−xAs buffer layer have been grown on GaAs (001) substrates by molecular beam epitaxy. It has been shown that the use of a 5-nm GaAs insert in the region of a metamorphic buffer layer at x ~ 0.37 almost doubles the photoluminescence intensity...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.