Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Terahertz characteristics of opto-sensitive InP based double drift IMPATT diode with and without optical radiation are studied and the results are compared with another opto sensitive semiconductor 4H-SiC based IMPATT at same operating frequency (0.5 THz) . The effects of parasitic series resistance on the THz frequency performance of the simulated InP based diode is also analysed. Unilluminated IMPATT...
Simulation experiment is carried out on single drift region 4H-SiC based IMPATT devices for Ka-band operation. It is observed that 4H-SiC would far surpass its present rival Si in terms of power output and efficiency. However, the parasitic series resistance (Rs) would reduce the RF power output of the 4H-SiC IMPATTs. The value of Rs decreases as the doping profile of the diode changes from flat to...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.