Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A failure analysis case study on power MOSFET breakdown voltage is present in this paper. The failure mechanism was found to be related to the N- dopant concentration at the PN junction between the body and the epitaxial layer, which can be characterized by the secondary ions mass spectrometry (SIMS).
This talk will introduce the fabrication methods of electro-absorption modulated lasers (EMLs) and the latest results of EMLs fabricated by a novel technology named selective area growth double-stack active layer (SAG-DSAL) developed by the authors.
High-quality Pb 0.4 Sr 0.6 TiO 3 (PST) thin films have been epitaxially grown on MgO (100) substrates at various substrate temperatures by the pulsed laser deposition (PLD) technique. Their crystalline phase structures and surface morphology were measured by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). Their in-plane orientation was observed by the Phi scans...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.