Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present the systematic study of Vth and Idlin/Idsat variability of nanowire transistors (NW Tr.) with various parameters (NW width (WNW) and height (HNW) down to 10nm, NW number (NNW), NW directions, channel dopants). By adopting NW circumference as Weff, the universal line appears in Pelgrom plot of both σVth and σId for a wide range of gate length (Lg), WNW and HNW. We found Avt reduction in...
We investigate the short-channel performance of trigate silicon nanowire transistors. Drain-induced barrier lowering at a gate length of 25 nm is strongly suppressed by reducing the nanowire width (WNW) down to 10 nm. We found that the parasitic resistance (RSD) of nanowire transistors is dominated by nanowire-shaped source/drain (S/D) regions under the gate spacer whose resistivity is higher than...
A floating gate NAND flash memory technology for 30 nm and beyond has been successfully developed. Wide program/erase window, tight natural threshold voltage (Vth) distribution, and good cell reliabilities such as program disturb, program/erase endurance and data retention are successfully demonstrated, which are essential to realize super MLC.
Partial discharge (PD) endurance of epoxy/SiC nanocomposite was investigated in comparison with that of epoxy/silica (SiO2) nanocomposite. Filler contents were 1 wt%, 2 wt%, 3 wt%, 4 wt% and 5 wt% in epoxy/silicon carbide (SiC) nanocomposite. Evaluation was made by erosion depth and eroded cross sectional area in its profile measured with the laser surface profilometory. It was confirmed that epoxy...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.