Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, Si-MOS capacitors with HfTiO/SiON stack gate dielectric were fabricated by using Si-surface thermal passivation in NO and N2O ambients respectively and reactive co-sputtering technology. Results show that the sample pretreated in NO ambient has excellent interface properties, low gate leakage current density and high reliability. This is attributed to the formation of a SiON interlayer...
Germanium MOS capacitors with high-quality gate dielectrics are fabricated by novel processing in wet ambients. Wet NO oxidation with wet N2 annealing is used to grow GeON gate dielectric on Ge substrate. As compared to dry NO oxidation, negligible growth of unstable GeOx interlayer and thus a near-perfect GeON dielectric can be obtained. This idea is extended to high-k gate dielectric (HfTiON), which...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.