Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Without employing gate dielectrics, AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) on Si with non-alloyed regrown ohmic contacts exhibit record-low leakage currents $\sim 10^{-12}$ A/mm, high ON/OFF current ratios $> 10^{11}$ . Compared with HEMTs with conventional alloyed ohmic contacts, HEMTs with non-alloyed contacts show a reduction of $10^{6}$ in leakage current, a steeper subthreshold...
In this paper, device performance of high Al composition Al0.72Ga0.28N/AlN/GaN HEMTs with ALD Al2O3 dielectric is reported. Employing different gate metals, the threshold voltages were shifted by -0.8 V in 0.5-μm-long HEMTs, which indicates an unpinned Fermi level at the ALD Al2O3/ Al0.72Ga0.28N interface. With lower contact resistances, high Al AlGaN HEMTs are well suited for further lateral and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.