Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Owing to the large breakdown electric field (Eb), wide bandgap semiconductors (WBGs) such as SiC, GaN, Ga2O3 and diamond based power devices are the focus for next generation power switching applications. The unipolar trade-off relationship between the area specific-on resistance (Ron,sp) and breakdown voltage (BV) is often employed to compare the performance limitation among various materials. The...
Interband quantum tunneling of electrons in semiconductors is of intense recent interest as the underlying transport mechanism in tunneling field-effect transistors (TFETs). The emergence of 2-dimensional (2D) semiconducting crystals[1] provides a new material platform for realizing such devices. To date, interband tunneling in purely 2D semiconducting crystal junctions has not received sufficient...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.