Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we simulate and investigate a novel Tunnel Field-Effect Transistor (TFET) using the charge plasma concept on the source side. Herein, an inverted p-type source is created to form a p+-n tunneling diode structure on a uniformly n-type doped thin silicon film, hence named, Inverted-TFET (I-TFET). Using calibrated simulations, we verify that the Ion is boosted (□ 20 times) in the proposed...
In this paper, we provide an efficient method to improve the subthreshold characteristic of silicon-on-insulator (SOI) MOSFET using a vertical non-uniform doping profile for the drain region. Two different structures are simulated: uniform-drain (UD) and gaussian-drain (GD) SOI MOSFET and results are compared. Gaussian distribution function parameters such as peak doping density (Np) and standard...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.