Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Poly-Si thin-film transistor SONOS memory cells with various source/drain junctions are studied comprehensively. For pure Schottky-barrier junction, the overlap between source/drain and gate is critical. A 2-nm underlap results in high tunneling resistance and thus poor programming efficiency. Suitable designed modified-Schottky-barrier junction can improve programming speed by Fowler-Nordheim tunneling...
The effects of extreme-ultraviolet (EUV)-irradiation-induced damage on the characteristics of a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory device are investigated. After EUV irradiation, changes in the memory window and program/erase speed indicate the generation of positive charges and new traps. Retention performance degrades after high-dose irradiation, which indicates that the tunneling...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.