Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel ring-resistance-triggered stacked SCR-laterally diffused MOSs has been successfully verified in a 0.35 , 30-V/5-V bipolar CMOS DMOS process to solve the coupling of trigger voltage and holding voltage in stacking structures. The holding voltage of the proposed structure can be modulated by varying stacking numbers, and a high holding voltage of 22 V has been achieved using six stacks...
Three types of MOS-triggered SCR structures: Merged MOS-triggered SCR, compact MOS-triggered SCR and boundary-MOS-triggered SCR devices have been fabricated and compared in 0.13 μm CMOS process for on-chip ESD protection. TLP testing results show boundary-MOS-triggered SCR structures can achieve adjustable and lower switching voltage, smaller turn-on resistance, faster turn-on speed, the best ESD...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.