Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A robust two-stage low-noise amplifier based on GaN technology is presented. The MMIC LNA is realized using stacked transistors in the first stage to obtain high ruggedness. The LNA survived a record value of 43 dBm of input power at 5 GHz measured in a coaxial test fixture without any visible degradation of the transistors. The results prove that the new stacked architecture allows the LNA to withstand...
This paper presents a highly linear X-Band low-noise amplifier. The LNA is realized in coplanar technology using the 0.25 µm GaN-HEMT MMIC process from FBH. A noise figure below 2.5 dB is measured from 7 GHz to 12 GHz together with very good input and output matching. This LNA provides a OIP3 of 28 dBm at 8 GHz, which is 8 dB above the 1 dB compression point.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.