Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a distributed energy storage device (DESD) based on a novel isolated bidirectional DC-DC converter with 650V GaN transistors. The device integrates a low-voltage (13.2V) Li-ion battery pack, an embedded bidirectional DC-DC converter and wireless communication system. The three parts are packaged together, thus it can be directly connected to high-voltage (380V) DC grid, enabling...
An isolated bi-directional soft-switched DC-AC converter with high-frequency-AC (HFAC) link using Silicon Carbide (SiC) MOSFETs is presented in this paper. A unipolar-SPWM oriented modulation technique is proposed to enable the full-bridge (FB) stage to realize zero-voltage-switching (ZVS) and the cycloconverter stage to realize zero-current-switching (ZCS). Furthermore, the proposed modulation technique...
Three generations of medium voltage fault isolation devices (FID) for a power electronics based distribution system, the FREEDM System, are reported in this paper. In the Gen-I FID, three 6.5 kV silicon IGBTs are series connected to achieve 15 kV class distribution voltage blocking capability. Whereas in the Gen-II and the Gen-III FIDs, 15 kV Silicon Carbide (SiC) ETO devices are used. Since one single...
Symmetric blocking power semiconductor switches require positive-bevel edge terminations for the reverse blocking p-n junction. This technique has been extensively applied to silicon wafer-size devices with high current ratings. In this letter, we propose and experimentally demonstrate, for the first time, that an orthogonal positive-bevel termination can be used for the reverse blocking junction...
A 6.5 kV 25 A dual IGBT module is customized and packaged specially for high voltage low current application like solid state transformer and its characteristics and losses have been tested under the low current operation and compared with 10 kV SiC MOSFET. Based on the test results, the switching losses under different frequencies in a 20 kVA Solid-State Transformer (SST) has been calculated for...
A novel IGBT structure with a built-in lateral JFET region is proposed to reduce the saturation current. A low saturation current level for high voltage IGBTs is desirable for strong short circuit capability. The saturation current can be reduced by increasing the cell pitch of the conventional IGBT structure at the sacrifice of increased on-state voltage drop. The proposed structure provides a greatly...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.