Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Resistive RAM (RRAM) faces two major design challenges: 1) cell area versus write current requirements; 2) cell current (ICELL) versus read disturbance. An RRAM using logic-process-based vertical parasitic-BJT (VPBJT) switches and correspondent cell array (VPBJT-CA) can achieve 4.5+x smaller macro area. To overcome temperature-dependent fluctuation in the base-emitter voltage difference (VBE) of BJT,...
An on-chip Frequency-Selective-Surface (FSS) integrated with a Proportional-to-Absolute-Temperature (PTAT) circuit for detecting infrared wave in CMOS process is presented. The slot-type FSSs with different slot length reveal different transmission properties. The power absorbed by the chip is analyzed by electromagnetic and thermal simulation software. The measurement results at 28.3 THz show good...
A high-efficiency stacked-film infrared absorber comprising a Jerusalem-cross slot frequency-selective surface (FSS) and Si-based dielectric layers fabricated in foundry CMOS process is proposed. Simulation shows that integration of proposed FSSs with dielectric layers can improve the absorption of the dielectric layers in infrared. A temperature sensing circuit is integrated in CMOS chip to measure...
Design issues and insights of multilevel phase change memory are presented. Based on a proposed compact model calibrated to measured data, we assess the impact of resistance drift on multilevel cell design. It is found that special care has to be taken to develop a viable multilevel design as the design window could be degraded and worsened at high temperature.
This paper presents a fully monolithic approach to the design and fabrication of THz CMOS image sensor operating at 28.3 THz using the mass-producible 0.18-μm 1P6M CMOS foundry. The CMOS sensor consists of antenna-coupled transducer, linearly transforming the intercepted THz (terahertz) electromagnetic energy into voltage representation in the region of interest. The THz image sensor adopts PTAT (Proportional...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.