Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, leakage mechanisms in ballistic deflection transistors (BDT) are studied using Finite Element Analysis (FEA) based on a simple conductive media model, a BDT simulator based on the semi-classical billiard model, and experimental measurements. In BDT, by simply tailoring the architecture, the electron transport can be, to a large extent, modified and controlled to reduce leakage. Since...
A multi-purpose simulator for ballistic nanoelectronic devices, based on classical mechanics of electrons at the Fermi level, has been successfully implemented. Current-voltage characteristics and magnetoresistance phenomena consistent with published experimental data have been observed. Based on simulator results, device design guidelines for a new type of transistor which operates on ballistic transport...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.