Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Today's microprocessors and Systems-on-Chip are thermally limited. Many, therefore, employ dynamic thermal management (DTM) to maximize performance under a reliability constraint. Accurate thermal monitoring is critical as temperature underestimation can hurt reliability by excessively aging devices and overestimation can hurt performance by unnecessarily throttling computing components. Placing temperature...
This paper presents novel 6-T SRAM register file (RF) circuits and in-field framework for managing chip's lifetime after deployment. Our proposed RF circuits can in-situ sense threshold voltages (Vt) of all six transistors of every bitcell in an RF robustly against temperature variations. This allows us (1) to monitor aging effects of both NMOS and PMOS such as negative and positive bias temperature...
This paper presents compact and voltage-scalable temperature sensor circuits for implementing dynamic thermal management (DTM) in high-performance microprocessors and Systems-on-Chips (SoC). The proposed sensor front ends require only 6 to 8 NMOS transistors, resulting in more than one order of magnitude smaller area than the previous state of the art. The sensor supply voltage can be scaled down...
SRAM register files have sensitive circuitry and often operate with high switching activity and at high temperature. This makes them particularly vulnerable to aging by negative-bias temperature instability (NBTI) degradation of their PMOS devices. We propose a technique to sense this aging degradation; it is an in-situ technique sensing the threshold voltage (Vt) of PMOSs directly in bitcells, and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.