Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents the process integration and device technology for the Resistance RAM(RRAM) memory array using a CoOx film and a recess structure as a resistor, which is capable of low voltage, high speed and low current operation. The resistance of the CoOx film and its uniformity are strongly dependent on the film quality, which is optimized by controlling the O2 gas flow rate during the film...
We prepared oxygen-doped and nitrogen-doped Ge-Sb-Te system thin film by RF magnetron sputtering, and investigated its crystallinity and resistivity with several annealing temperature and oxygen and nitrogen doping content. The test phase change device was fabricated to confirm switching characteristics between crystalline (set) and amorphous (reset) phases. The resistance of nitrogen-doped GST changed...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.