Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This letter presents fabrication of a power 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT) with a high open-base breakdown voltage BVCEO ap 1200 V, a low specific on-resistance RSP_ON ap 5.2 mOmegamiddotcm2, and a high common-emitter current gain beta ap 60. The high gain of the BJT is attributed to reduced surface recombination that has been obtained using passivation by thermal silicon dioxide grown...
Silicon carbide NPN bipolar junction transistors were fabricated and a current gain exceeding 60 was obtained for a BJT with a breakdown voltage BVCEO=1100 V. A reduction of the current gain was observed after contact annealing at 950 degC and this was attributed to degradation of the oxide passivation. Device simulations with varying emitter doping resulted in a maximum current gain for an emitter...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.