Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The ability to process and dimensionally scale field‐effect transistors with and on paper and to integrate them as a core component for low‐power‐consumption analog and digital circuits is demonstrated. Low‐temperature‐processed p‐ and n‐channel integrated oxide thin‐film transistors in the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter architecture are seamlessly layered on mechanically...
A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device is described. The device is based on n‐(In‐Ga‐Zn‐O) and p‐type (SnOx) active oxide semiconductors and uses a transparent conductive oxide (In‐Zn‐O) as gate electrode that sits on a flexible, recyclable paper substrate that is simultaneously the substrate and the dielectric.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.