Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A physical and explicit compact model for lightly doped FinFETs is presented. This design-oriented model is valid for a large range of silicon Fin widths and lengths, using only a very few number of model parameters. The quantum mechanical effects (QMEs), which are very significant for thin Fins below 15nm, are included in the model as a correction to the surface potential. A physics-based approach...
This paper presents a modeling methodology for substrate current coupling mechanisms. An enhanced model of the diode ensuring continuity of minority carriers is used to build an equivalent schematic, accounting for minority and majority carrier propagation in the substrate. For the first time a typical H-bridge structure is simulated with the proposed methodology. The parasitic current injected in...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.