Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we discuss the Fermi Level Pinning (FLP) modulation at metal/germanium (Ge) interface by inserting ultra-thin insulator film. The FLP was alleviated gradually and continuously with increasing insulator (GeO2) thickness up to 2 nm. The results cannot be simply explained by the termination of dangling bonds or defects just at Ge interface. It is inferred that relatively long range (~...
Reliabilities of high-k stacked gate dielectrics are discussed from the viewpoint of the impact of initial traps in high-k layer. TDDB reliability can be explained by the generated subordinate carrier injection (GSCI) model. While initial traps increase the leakage current, they do not degrade the TDDB reliability. In contrast, the BTI reliability is strongly degraded by initial traps.
In this paper, we have investigated the correlation between released hydrogen from Si/SiO2 interface and trap creation in bulk SiO2. The key point of these experiments is that hydrogen release from the interface is performed without trap creation in bulk SiO2 by injected hot carriers. Therefore, negative bias temperature (NBT) stress or substrate hot electron (SHE) stress was utilized to release hydrogen...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.