Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this summary, the resistive random access memory (RRAM) with the structure of Pt/HfO2/Ti is investigated for applications in radiation circumstance. The heavy ion 86Kr26+ of HIRFL (The Heavy Ion Research Facility in Lanzhou) is used as the radiation source. The energy of 86Kr26+ is 25 MeV/u, the LET is 37.6 MeV/(cm2/mg), and the fluence of 5e11 is achieved after 2 hours radiation. Basic performance...
RRAM exhibit highly stable characteristics under TID radiation. But different radiation effects are shown in the RRAM based different oxide. The radiation effects in RRAM based HfO2 and SiO2 are test and analyzed.
In this letter, the resistive random access memory (RRAM) with metal–insulator–metal structure is investigated for the first time under radiation conditions. The fabricated Cu-doped -based RRAM devices are found to have immunity from ray of various dose ranges. The basic RRAM parameters such as high-resistance state, low-resistance state, SET/RESET voltages, operation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.