Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, both time domain random telegraph noise (RTN) and frequency domain Lorentzian spectra due to generation–recombination (GR) centres are studied in ultra‐thin buried oxide (UTBOX) silicon‐on‐insulator (SOI) nMOSFETs. As will be shown, for a Si film‐related RTN, the corner frequency is moderately dependent on the gate voltage, while a strong VGS dependence is found for an oxide RTN. This...
An overview is given on the possibilities of using generation‐recombination (GR) noise as a tool for defect spectroscopy in semiconductor materials and devices. The method is illustrated by n‐channel MOSFETs fabricated on silicon‐on‐insulator (SOI) substrates with an ultra‐thin buried oxide (UTBOX). As will be shown, the use of fully depleted (FD) UTBOX devices offers some unique opportunities and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.