Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A fully integrated dual-band (868/915 MHz and 2.4 GHz) low-noise amplifier is designed using 0.18 m RFCMOS technology for ZigBee development. In both bands, achieved gains are better than 15 dB and the resulting noise figures are better than 2.0 dB. The input and the output reflections are measured to be better than 10 dB in both bands. By tuning varactors in input and output LC tanks, frequency drifts...
In this paper, a SiGe BiCMOS power amplifier has been designed, showing the competitive performance compared to GaAs HBT. The 2.4 GHz power amplifier realized in IBM 0.35 mum SiGe BiCMOS technology. As shown in Fig.5, under high power mode, the measured gain is 24 dB and the input return loss Sn is better than -15 dB, the output return loss S22 is ~9.6 dB at 2.45 GHz. The PA exhibits PidB of 24.1...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.