Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High brightness gain guided tapered lasers emitting at 1060 nm based on an asymmetric layer structure were designed, simulated and fabricated, demonstrating better beam quality than symmetric designs.
High brightness gain guided tapered lasers emitting at 1060 nm were designed, simulated and fabricated. The devices showed excellent beam quality up to 2 W cw, and the experimental results were similar to the predictions of the simulations. Tapered lasers with separate contacts were designed with the goal of achieving a high modulated power with a low modulating current.
This work present simulations of the operation of tapered semiconductor lasers with separate contacts, in comparison with the experimental results, with the goal of providing a physical understanding of the origin of this improvement. The simulation parameters related to the fabrication technology were calibrated by comparison with experiments in broad area lasers and in tapered lasers with common...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.