Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have analysed the carrier distribution of a tunnel injection quantum dot laser to reveal features which suggest dots of a particular size are preferentially populated during the tunnel injection process.
The role of changes in gain and nonradiative recombination as a function of temperature in p-doped quantum dot samples that exhibit a minimum in the threshold current versus temperature characteristics are examined using a detailed analysis based on the multisection measurement method. An injection level is defined as the difference between the transparency energy and the transition energy of the...
We assess three methods to increase the gain in quantum-dot-lasers based on increasing the number of dots states and increasing the population of the available states by reducing the effect of the wetting layer
We investigate the degree of self heating, both at the facet and for the whole device, using spontaneous emission measurements and compare two different dot structures with a quantum well laser.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.