Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report new findings on the intrinsic effect of uniaxial strain on low frequency noise and device mismatch in nanoscale pMOSFETs. Our study indicates that the low frequency noise and mismatching properties of the strained device are altered by the tunneling attenuation length, mobility fluctuation, and the critical electric field at which the carrier velocity becomes saturated.
This letter investigates the low-frequency noise characteristics and reports a new mechanism for uniaxial strained PMOSFETs. Through a comparison of the input-referred noise and the trap density of the gate dielectric/semiconductor interface between co-processed strained and unstrained devices, it is found that the tunneling attenuation length for channel carriers penetrating into the gate dielectric...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.