Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
It is shown in this work that the presence of an ultrathin (~1.5nm) SiO 2 interfacial layer reactively formed in between a thick (~20nm) high-permittivity CeO x film and a metal NiSi 2 bottom electrode in a metal–insulator–metal structure has remarkable consequences for the hysteretic current–voltage (I–V) characteristic of the device. Conductance values in the low resistance...
Effects of surface passivation and the interfacial layer on the reliability characteristics of Al/HfYO x /GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor structures are reported. Stress-induced leakage current mechanism, critical for understanding the degradation and breakdown in Al/HfYO x /GaAs capacitors, has been studied in detail. While the devices fabricated with (NH 4 ) ...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.