Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work aims to analyze the impact of the Ground Plane (GP) on a new generation of the dynamic threshold (DT2) operation in Ultra-thin Body and Buried Oxide (UTBB) SOI nMOSFETs. The DT2, using a short-circuit between the gate and the substrate contact, the enhanced dynamic threshold (eDT), where the substrate bias is a multiple value of the gate bias (VB=k×VG, k=1,2,…,5), and the inverse eDT (with...