Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper focuses on the influence of annealing process on the properties and microstructural evolution of through-silicon-via electroplating copper. Particular attention is paid to the interposer-related through-silicon-via applications, which is fabricated by via-last process with the diameter of 20 microns and above. A interposer was designed and fabricated with its diameter of 100 microns and...
TSV has emerged as a promising technique for three dimensional packaging. Square TSV is employed for some special type SRAM and DRAM memories, which are usually fabricated at individual advanced IC foundries. The profile- preserving property are usually very important and there is close relationship between the related process condition and the profile-preserving property. In this paper, parametric...
In this paper, a low-cost through-multilayer TSV integration process has been developed. The features are that a double-layer spin coating technique is applied to prevent residual photoresist left inside TSVs. Besides, redistribution layer is deposited before TSV filling in order to eliminate the front-side chemical-mechanical planarization process, which will lower the fabrication cost. Basic electrical...
As the pitch of TSVs shrinks down, electrical characteristics of TSV become more complicated and mechanical stress becomes a critical issue. The objective of this paper is to study the electrical and mechanical characteristics of fine pitch TSV. The features are that the fine pitch TSV samples are fabricated with self-integrated micro heater and thermocouple, which are integrated to act as the hot...
Through silicon via (TSV) technology is moving in the direction of miniaturization and multi-functional development, and is considered to be the main way beyond Moore's Law. This paper presents a fine-pitch TSV manufacturing method with self-aligned backside insulation layer opening for three-dimensional (3D) integration. It is characterized by the use of chemical-mechanical polished (CMP) process...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.