Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This article deals with an early growth study of hydrogenated and non-hydrogenated amorphous silicon carbide thin films (a-SiC:H, a-SiC). Sample have been elaborated at room temperature by a new configuration (Up-down) sputtering d.c. magnetron technique, using a 6H-SiC polycrystalline target onto p-Si(100) and glass substrates. The infrared spectra reveal the existence of a band located at 740 cm...
Crystalline silicon carbide thin layers were grown on a p-type Si(100) substrate by pulsed laser deposition (PLD) using KrF excimer laser at λ=248nm from a 6H–SiC hot-pressed target. The target “SiC” used to elaborate our SiC films is realized from a mixture of 1SiO 2 with 3C (carbon) “1SiO 2 +3C” heated in an oven at 2500°C (the target was a hot-pressed material and supplied by Goodfellow)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.