Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A non-volatile memory device using graphene oxide (GO) as a resistive switching element is demonstrated. It is found that the electrode materials and GO thickness is critical factors to determine the switching properties of devices. The Al/GO/ITO structure with 30 nm thick GO shows On/Off current ratio of 103. In addition, the GO memory device exhibits excellent performance when applied to flexible...
A resistive switching memory device based on graphene oxide (GO) is presented. It is found that the resistive switching characteristic has a strong dependence on electrode material and GO thickness. In our experiment, an Al/GO/ITO structure with 30-nm-thick GO shows good switching performance with an on/off resistance ratio of 103, low set/reset voltage, and excellent data retention. The GO memory...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.