Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High temperature annealing and Cs, O activation is the formations of NEA GaN photocathode of external incentives, GaN material performance of the cathode of the internal factors are fundamental. In this paper, aiming at the difference of the uniform-doping and gradient-doping NEA GaN photocathode in structure, combined with the cathode active changes of the optical current and activated after the...
Higher quantum efficiency by optimizing GaN photocathode structure is reported. AlN was used to substitute for GaN as buffer layer, which could act as a potential barrier due to its higher energy gap and reflect electrons back toward the surface direction. Graded-doping structure was used to replace uniform-doping structure, which introduced three built-in electrical fields for the different doping...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.